近日，拓荆科技科创板上市申请审核状态更新为“已问询”。招股说明书显示，公司本次拟募集资金投资高端半导体设备扩产等项目。
研发投入大
2018年度至2020年度及2021年1-3月份（报告期），拓荆科技净利润分别为-10322.29万元、-1936.64万元、-1169.99万元及-1058.92万元，扣除非经常性损益后归属于母公司所有者的净利润分别为-14993.05万元、-6246.63万元、-5711.62万元和-2400.90万元。报告期内，公司尚未实现盈利。公司表示，半导体设备行业技术含量高，研发投入大，产品验证周期长，报告期内公司持续加大了研发投入。
报告期内，公司研发费用分别为10797.31万元、7431.87万元、12278.18万元和2714.86万元，占各期营业收入的比例为152.84%、29.58%、28.19%和47.02%。研发费用金额较高，占营业收入的比例较大。
拓荆科技主要从事高端半导体专用设备的研发、生产、销售和技术服务。公司聚焦的半导体薄膜沉积设备与光刻机、刻蚀机共同构成芯片制造三大核心设备。公司主要产品包括等离子体增强化学气相沉积（PECVD）设备、原子层沉积（ALD）设备和次常压化学气相沉积（SACVD）设备三个产品系列，广泛应用于国内晶圆厂14nm及以上制程集成电路制造产线，并已展开10nm及以下制程产品验证测试。
招股说明书显示，公司自设立以来立足自主创新，通过对薄膜沉积设备核心技术的构建，产品在实现薄膜性能参数的同时，满足了综合生产成本相对较低的商业经济性指标。产品已广泛用于中芯国际、华虹集团、长江存储、长鑫存储、厦门联芯、燕东微电子等国内主流晶圆厂产线。
巩固主业
根据公告，公司本次发行并上市的募集资金扣除发行费用后，将投资于高端半导体设备扩产项目、先进半导体设备的技术研发与改进项目、ALD设备研发与产业化项目，并补充流动资金。利用募集资金合计约10亿元。
公司表示，募集资金投资项目均围绕公司主营业务开展，是对现有业务的提升和拓展，有利于进一步扩大公司生产经营规模，提高技术研发实力，提升公司核心竞争力。
具体看，高端半导体设备扩产项目将在公司现有的半导体薄膜设备研发和生产基地基础上进行二期洁净厂房建设、配套设施及生产自动化管理系统建设。二期洁净厂房建设主要为千级洁净厂房，设计规模为2600平方米左右。本项目预计建设期为2年，项目总投资7986.46万元。其中，场地装修费2500万元，工程建设其他费200万元，设备购置2924.16万元，基本预备费112.48万元，铺底流动资金2249.82万元。
先进半导体设备技术研发与改进项目预计建设期为3年，项目总投资39948.34万元。其中，设备购置费8052.02万元，研发费用31113.02万元，基本预备费783.3万元。
实施ALD设备研发与产业化项目，拟在上海临港新片区购置整体厂房，进行装修改造，购置研发设备及生产设备，建设新的研发及生产环境。项目实施主体为全资子公司拓荆上海。项目预计建设期为3年，项目总投资27094.85万元。其中，工程建设费9969.93万元，设备购置费2217.05万元，研发费用13204.2万元，基本预备费507.83万元，铺底流动资金1195.84万元。
提示风险
招股说明书显示，公司在技术、经营等方面存在风险。
报告期内，公司对前五大客户的销售额占当期主营业务收入的比重分别为100%、84.02%、83.78%和100%，集中度较高。公司表示，集成电路制造属于资本和技术密集型行业，国内外均呈现主要集成电路制造商经营规模大、数量少的行业特征。如果公司后续不能持续开拓新客户或对少数客户形成重大依赖，将不利于公司未来持续稳定发展。
报告期各期末，公司的存货余额分别为33052.11万元、35782.99万元、52381.17万元、65935.62万元，占流动资产的比例分别为47.61%、41.78%、32.55%和38.98%。公司表示，如果未来产品销售价格发生重大不利变化，可能导致存货可变现净值低于账面净值，而需要计提存货跌价准备，从而影响公司的盈利水平。
公告显示，晶圆制造属于高精密制造领域，对产线各环节的良率要求极高，任何进入量产线的设备均需经过长时间工艺验证和产线联调联试。晶圆厂对薄膜沉积设备所需要的验证时间相比其他半导体专用设备可能更长。对于新客户的首台订单或新工艺订单设备，整个流程可能需要6-24个月甚至更长时间。如果公司产品验收周期延长，公司的收入确认将有所延迟。另外，可能存在公司设备验收不通过、收款时间延后等风险，增加公司的资金压力，影响公司的财务状况。
